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STF6N65M2

STF6N65M2

僅供參考

型號 STF6N65M2
PNEDA編號 STF6N65M2
描述 MOSFET N-CH 650V 4A TO-220FP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 10,488
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 2 - 六月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STF6N65M2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STF6N65M2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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STF6N65M2規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.35Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9.8nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds226pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)20W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220FP
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 900mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.1nC @ 10V

Vgs(最大)

20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

380pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

NXP USA Inc.

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

84mOhm @ 1.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

132pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

310mW (Ta), 2.09W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

135V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

129A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.4mOhm @ 77A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

270nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9700pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

441W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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