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STBV42D

STBV42D

僅供參考

型號 STBV42D
PNEDA編號 STBV42D
描述 TRANS NPN 400V 1A TO-92
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 4,122
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 12 - 六月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STBV42D資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STBV42D
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
STBV42D, STBV42D數據表 (總頁數: 8, 大小: 115.46 KB)
PDFSTBV42D數據表 封面
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STBV42D規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)400V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 250mA, 750mA
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce10 @ 400mA, 5V
功率-最大1W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

440V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 800mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

7 @ 2.5A, 2V

功率-最大

50W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220-3

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ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20000 @ 100mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

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-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 400mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 4A, 1V

功率-最大

60W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

400MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 4mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

82 @ 10mA, 10V

功率-最大

150mW

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工作溫度

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