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SST39VF200A-70-4I-M1QE-T

SST39VF200A-70-4I-M1QE-T

僅供參考

型號 SST39VF200A-70-4I-M1QE-T
PNEDA編號 SST39VF200A-70-4I-M1QE-T
描述 IC FLASH 2M PARALLEL 48WFBGA
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 2,358
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SST39VF200A-70-4I-M1QE-T資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SST39VF200A-70-4I-M1QE-T
類別半導體內存IC內存

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SST39VF200A-70-4I-M1QE-T規格

制造商Microchip Technology
系列SST39 MPF™
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH
內存大小2Mb (128K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁20µs
訪問時間70ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-WFBGA
供應商設備包裝48-WFBGA (6x4)

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Microchip Technology

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內存類型

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內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

4Kb (512 x 8, 256 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

2ms

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

Die

供應商設備包裝

Die

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

1Tb (128G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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IDT71V2546S150PFI8

IDT, Integrated Device Technology

制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

150MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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CY7C145-15AXCT

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

72Kb (8K x 9)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

80-LQFP

供應商設備包裝

80-TQFP (14x14)

5962-9459901MXA

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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