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SST2222AHZGT116

SST2222AHZGT116

僅供參考

型號 SST2222AHZGT116
PNEDA編號 SST2222AHZGT116
描述 NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR (SWI
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,418
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 5 - 七月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SST2222AHZGT116資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SST2222AHZGT116
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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SST2222AHZGT116規格

制造商Rohm Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)600mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 150mA, 10V
功率-最大200mW
頻率-過渡300MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SST3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 1.6A, 8A

當前-集電極截止(最大值)

700µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 5A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

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安裝類型

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500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 10mA, 2V

功率-最大

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工作溫度

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Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 50mA, 10V

功率-最大

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