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SS9012HBU

SS9012HBU

僅供參考

型號 SS9012HBU
PNEDA編號 SS9012HBU
描述 TRANS PNP 20V 0.5A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 38,070
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 2 - 七月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SS9012HBU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS9012HBU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
SS9012HBU, SS9012HBU數據表 (總頁數: 6, 大小: 153.73 KB)
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SS9012HBU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce144 @ 50mA, 1V
功率-最大625mW
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 150mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

180MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 1V

功率-最大

625mW

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 500mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 400mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

320 @ 2A, 2V

功率-最大

25W

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

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