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SQJ401EP-T1_GE3

SQJ401EP-T1_GE3

僅供參考

型號 SQJ401EP-T1_GE3
PNEDA編號 SQJ401EP-T1_GE3
描述 MOSFET P-CH 12V 32A POWERPAKSO-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,454
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SQJ401EP-T1_GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SQJ401EP-T1_GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SQJ401EP-T1_GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)32A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs164nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds10015pF @ 6V
FET功能-
功耗(最大值)83W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerPAK® SO-8
包裝/箱PowerPAK® SO-8

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

450pF @ 25V

FET功能

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 6A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.4nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 43W (Tc)

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10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.24mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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