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SQ4946EY-T1-E3

SQ4946EY-T1-E3

僅供參考

型號 SQ4946EY-T1-E3
PNEDA編號 SQ4946EY-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,672
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 13 - 五月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SQ4946EY-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SQ4946EY-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SQ4946EY-T1-E3, SQ4946EY-T1-E3數據表 (總頁數: 9, 大小: 111.76 KB)
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SQ4946EY-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs55mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs30nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大2.4W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32.5mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.3nC @ 4V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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880mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

260mOhm @ 880mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

155pF @ 20V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

399pF @ 15V

功率-最大

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