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SP8M7FU6TB

SP8M7FU6TB

僅供參考

型號 SP8M7FU6TB
PNEDA編號 SP8M7FU6TB
描述 MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOIC
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,902
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 12 - 六月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SP8M7FU6TB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SP8M7FU6TB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SP8M7FU6TB, SP8M7FU6TB數據表 (總頁數: 6, 大小: 77.13 KB)
PDFSP8M7FU6TB數據表 封面
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SP8M7FU6TB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A, 7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs51mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.5nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds230pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

736pF @ 15V

功率-最大

6W

工作溫度

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

505pF @ 20V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

805pF @ 20V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

960mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

260nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6696pF @ 25V

功率-最大

357W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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