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SP8M7FU6TB

SP8M7FU6TB

僅供參考

型號 SP8M7FU6TB
PNEDA編號 SP8M7FU6TB
描述 MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOIC
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,902
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 16 - 六月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SP8M7FU6TB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SP8M7FU6TB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SP8M7FU6TB, SP8M7FU6TB數據表 (總頁數: 6, 大小: 77.13 KB)
PDFSP8M7FU6TB數據表 封面
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SP8M7FU6TB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A, 7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs51mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.5nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds230pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.44nC @ 4.5V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.5mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

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