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SMMBT6521LT1G

SMMBT6521LT1G

僅供參考

型號 SMMBT6521LT1G
PNEDA編號 SMMBT6521LT1G
描述 TRANS NPN 25V 0.1A SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,104
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 13 - 五月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SMMBT6521LT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SMMBT6521LT1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
SMMBT6521LT1G, SMMBT6521LT1G數據表 (總頁數: 7, 大小: 245 KB)
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SMMBT6521LT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)500nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce300 @ 2mA, 10V
功率-最大225mW
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 1A, 2V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

75MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 200mA, 1V

功率-最大

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頻率-過渡

40MHz

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.1V @ 750mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

8 @ 2A, 5V

功率-最大

70W

頻率-過渡

-

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150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 30mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 500mA, 2V

功率-最大

1.25W

頻率-過渡

360MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

350 @ 1mA, 6V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

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