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SKB02N120ATMA1

SKB02N120ATMA1

僅供參考

型號 SKB02N120ATMA1
PNEDA編號 SKB02N120ATMA1
描述 IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3-2
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,888
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 19 - 六月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SKB02N120ATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SKB02N120ATMA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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SKB02N120ATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)6.2A
電流-集電極脈沖(Icm)9.6A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.6V @ 15V, 2A
功率-最大62W
開關能量220µJ
輸入類型Standard
門禁費用11nC
25°C時的Td(開/關)23ns/260ns
測試條件800V, 2A, 91Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)50ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝PG-TO263-3-2

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電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 30A

功率-最大

260W

開關能量

383µJ (on), 233µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

163nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

D2PAK

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

32A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 15A

功率-最大

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開關能量

1.55mJ (on), 1.7mJ (off)

輸入類型

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門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

41A

電流-集電極脈沖(Icm)

82A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.1V @ 15V, 21A

功率-最大

160W

開關能量

1.95mJ (on), 1.71mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/100ns

測試條件

800V, 21A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

50ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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IXYS

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

165A

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360A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 80A

功率-最大

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開關能量

4.3mJ (on), 1.9mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

145nC

25°C時的Td(開/關)

34ns/90ns

測試條件

450V, 80A, 2Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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