SIZF920DT-T1-GE3
僅供參考
| 型號 | SIZF920DT-T1-GE3 |
| PNEDA編號 | SIZF920DT-T1-GE3 |
| 描述 | MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5 |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 2,700 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 七月 21 - 七月 26 (選擇加急運輸) |
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SIZF920DT-T1-GE3資源
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | SIZF920DT-T1-GE3 |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-陣列 |
| 數據表 |
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SIZF920DT-T1-GE3規格
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 系列 | TrenchFET® Gen IV |
| FET類型 | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| FET功能 | Standard |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 30V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 29nC @ 10V, 125nC @ 10V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V |
| 功率-最大 | 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc) |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | 8-PowerWDFN |
| 供應商設備包裝 | 8-PowerPair® (6x5) |
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