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SIZ902DT-T1-GE3

SIZ902DT-T1-GE3

僅供參考

型號 SIZ902DT-T1-GE3
PNEDA編號 SIZ902DT-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 29,004
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 8 - 五月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIZ902DT-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIZ902DT-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SIZ902DT-T1-GE3, SIZ902DT-T1-GE3數據表 (總頁數: 14, 大小: 222.38 KB)
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SIZ902DT-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)16A
Rds On(Max)@ Id,Vgs12mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs21nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds790pF @ 15V
功率-最大29W, 66W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerWDFN
供應商設備包裝8-PowerPair® (6x5)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

800mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.68nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

83pF @ 10V

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

660mA, 410mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

385mOhm @ 660mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

600mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

270mW

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

139A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 69.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

350nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9875pF @ 25V

功率-最大

390W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

160A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.3mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3238pF @ 20V

功率-最大

187W

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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