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SIR892DP-T1-GE3

SIR892DP-T1-GE3

僅供參考

型號 SIR892DP-T1-GE3
PNEDA編號 SIR892DP-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,490
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 14 - 六月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIR892DP-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIR892DP-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SIR892DP-T1-GE3, SIR892DP-T1-GE3數據表 (總頁數: 13, 大小: 340.5 KB)
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SIR892DP-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)50A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.2mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.6V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs60nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2645pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)5W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerPAK® SO-8
包裝/箱PowerPAK® SO-8

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4426pF @ 30V

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

65A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.3mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±22V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1290pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Ta), 50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2365pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

6.2W (Ta), 83W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 1A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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