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SIR878BDP-T1-RE3

SIR878BDP-T1-RE3

僅供參考

型號 SIR878BDP-T1-RE3
PNEDA編號 SIR878BDP-T1-RE3
描述 MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 25,230
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 17 - 五月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIR878BDP-T1-RE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIR878BDP-T1-RE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SIR878BDP-T1-RE3, SIR878BDP-T1-RE3數據表 (總頁數: 13, 大小: 387.68 KB)
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SIR878BDP-T1-RE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET® Gen IV
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Ta), 42.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)7.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs14.4mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs38nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1850pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)5W (Ta), 62.5W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerPAK® SO-8
包裝/箱PowerPAK® SO-8

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1500pF @ 6V

FET功能

Current Sensing

功耗(最大值)

1.4W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta), 51A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

988pF @ 13V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Ta), 26W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-PQFN (5x6)

包裝/箱

8-PowerVDFN

IRFH7932TR2PBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Ta), 104A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

51nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4270pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.4W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 750mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

150pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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功耗(最大值)

171W (Tc)

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