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SIHA14N60E-E3

SIHA14N60E-E3

僅供參考

型號 SIHA14N60E-E3
PNEDA編號 SIHA14N60E-E3
描述 MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 21,276
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 17 - 七月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIHA14N60E-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIHA14N60E-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SIHA14N60E-E3, SIHA14N60E-E3數據表 (總頁數: 7, 大小: 144.95 KB)
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SIHA14N60E-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列E
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)13A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs309mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs64nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1205pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)147W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220 Full Pack
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

540mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1480pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

327W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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包裝/箱

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Infineon Technologies

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 3.5A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

840pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

94mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

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-

FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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