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SIA950DJ-T1-GE3

SIA950DJ-T1-GE3

僅供參考

型號 SIA950DJ-T1-GE3
PNEDA編號 SIA950DJ-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 5,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 19 - 七月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIA950DJ-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIA950DJ-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SIA950DJ-T1-GE3, SIA950DJ-T1-GE3數據表 (總頁數: 7, 大小: 98.79 KB)
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SIA950DJ-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列LITTLE FOOT®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)190V
電流-25°C時的連續漏極(Id)950mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.8Ohm @ 360mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.5nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds90pF @ 100V
功率-最大7W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SC-70-6 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SC-70-6 Dual

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.1A, 7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

404.5pF @ 15V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 100mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

880pF @ 20V

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A, 7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.1nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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