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SIA922EDJ-T4-GE3

SIA922EDJ-T4-GE3

僅供參考

型號 SIA922EDJ-T4-GE3
PNEDA編號 SIA922EDJ-T4-GE3
描述 MOSFET N-CH 30V SMD
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 6,588
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 4 - 七月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIA922EDJ-T4-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIA922EDJ-T4-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SIA922EDJ-T4-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.4A (Ta), 4.5A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs64mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SC-70-6 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SC-70-6 Dual

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 8.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 10V

功率-最大

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

404pF @ 20V

功率-最大

1.6W, 1.7W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

250mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.3nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

33pF @ 5V

功率-最大

272mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

220mA, 140mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 220mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9.5pF @ 10V

功率-最大

300mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 1.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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