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SIA913DJ-T1-GE3

SIA913DJ-T1-GE3

僅供參考

型號 SIA913DJ-T1-GE3
PNEDA編號 SIA913DJ-T1-GE3
描述 MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 6,246
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 19 - 七月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIA913DJ-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIA913DJ-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SIA913DJ-T1-GE3, SIA913DJ-T1-GE3數據表 (總頁數: 7, 大小: 96.45 KB)
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SIA913DJ-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs70mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds400pF @ 6V
功率-最大6.5W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SC-70-6 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SC-70-6 Dual

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.9mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

115nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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