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SIA912DJ-T1-GE3

SIA912DJ-T1-GE3

僅供參考

型號 SIA912DJ-T1-GE3
PNEDA編號 SIA912DJ-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 7,830
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 19 - 七月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIA912DJ-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIA912DJ-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SIA912DJ-T1-GE3, SIA912DJ-T1-GE3數據表 (總頁數: 7, 大小: 109.58 KB)
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SIA912DJ-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11.5nC @ 8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds400pF @ 6V
功率-最大6.5W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SC-70-6 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SC-70-6 Dual

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

95A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

300nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

51mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1090pF @ 15V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

56mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

540pF @ 30V

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