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SIA911DJ-T1-GE3

SIA911DJ-T1-GE3

僅供參考

型號 SIA911DJ-T1-GE3
PNEDA編號 SIA911DJ-T1-GE3
描述 MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,802
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 17 - 五月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIA911DJ-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIA911DJ-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SIA911DJ-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs94mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12.8nC @ 8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds355pF @ 10V
功率-最大6.5W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SC-70-6 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SC-70-6 Dual

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.2mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 35µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 7.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

310pF @ 10V

功率-最大

1.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.3mOhm @ 20A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

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7nC @ 5V

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