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SIA527DJ-T1-GE3

SIA527DJ-T1-GE3

僅供參考

型號 SIA527DJ-T1-GE3
PNEDA編號 SIA527DJ-T1-GE3
描述 MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 281,766
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 16 - 六月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIA527DJ-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIA527DJ-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SIA527DJ-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs29mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15nC @ 8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds500pF @ 6V
功率-最大7.8W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SC-70-6 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SC-70-6 Dual

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

58mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 2.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

715pF @ 6.4V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 23A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

123nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 20V

功率-最大

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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