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SI9936BDY-T1-E3

SI9936BDY-T1-E3

僅供參考

型號 SI9936BDY-T1-E3
PNEDA編號 SI9936BDY-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 4,788
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 25 - 七月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI9936BDY-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI9936BDY-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI9936BDY-T1-E3, SI9936BDY-T1-E3數據表 (總頁數: 6, 大小: 107.11 KB)
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SI9936BDY-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs35mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

2.3W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

630mA, 775mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

375mOhm @ 630mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

46pF @ 20V

功率-最大

270mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.7A, 500mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16pF @ 50V, 7pF @ 50V

功率-最大

-

工作溫度

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75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

110A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.9mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

115nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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