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SI8902EDB-T2-E1

SI8902EDB-T2-E1

僅供參考

型號 SI8902EDB-T2-E1
PNEDA編號 SI8902EDB-T2-E1
描述 MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,762
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 19 - 七月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI8902EDB-T2-E1資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI8902EDB-T2-E1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI8902EDB-T2-E1規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 980µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-MICRO FOOT®CSP
供應商設備包裝6-Micro Foot™ (2.36x1.56)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

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7200pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19.5mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1255pF @ 15V

功率-最大

3.2W

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