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SI8275BBD-IM1

SI8275BBD-IM1

僅供參考

型號 SI8275BBD-IM1
PNEDA編號 SI8275BBD-IM1
描述 4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR
制造商 Silicon Labs
單價 請求報價
庫存 11,652
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 7 - 六月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI8275BBD-IM1資源

品牌 Silicon Labs
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI8275BBD-IM1
類別半導體隔離器隔離器-柵極驅動器
數據表
SI8275BBD-IM1, SI8275BBD-IM1數據表 (總頁數: 49, 大小: 935.99 KB)
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SI8275BBD-IM1規格

制造商Silicon Labs
系列Automotive, AEC-Q100
技術Capacitive Coupling
頻道數2
電壓-隔離2500Vrms
共模瞬變抗擾度(最小值)200kV/µs
傳播延遲tpLH/tpHL(最大值)75ns, 75ns
脈沖寬度失真(最大值)8ns
上升/下降時間(典型值)10.5ns, 13.3ns
電流-輸出高,低1.8A, 4A
電流-峰值輸出4A
電壓-正向(Vf)(典型值)-
電流-直流正向(If)(最大值)-
電壓-輸出電源4.2V ~ 30V
工作溫度-40°C ~ 125°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱14-VDFN
供應商設備包裝14-QFN (5x5)
批準CQC, CSA, UL, VDE

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上升/下降時間(典型值)

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電流-輸出高,低

-

電流-峰值輸出

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.27V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

電壓-輸出電源

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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500ns, 500ns

脈沖寬度失真(最大值)

300ns

上升/下降時間(典型值)

34ns, 34ns

電流-輸出高,低

2.5A, 2.5A

電流-峰值輸出

3A

電壓-正向(Vf)(典型值)

-

電流-直流正向(If)(最大值)

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上升/下降時間(典型值)

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電流-輸出高,低

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電流-峰值輸出

400mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

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電流-直流正向(If)(最大值)

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