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SI7904BDN-T1-E3

SI7904BDN-T1-E3

僅供參考

型號 SI7904BDN-T1-E3
PNEDA編號 SI7904BDN-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,582
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 24 - 五月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI7904BDN-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI7904BDN-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI7904BDN-T1-E3, SI7904BDN-T1-E3數據表 (總頁數: 13, 大小: 551.33 KB)
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SI7904BDN-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs24nC @ 8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds860pF @ 10V
功率-最大17.8W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® 1212-8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® 1212-8 Dual

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1.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270mOhm @ 1.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

54.7A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17.4mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28.6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1986pF @ 50V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

2W

工作溫度

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8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 15V

功率-最大

26W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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