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SI7872DP-T1-E3

SI7872DP-T1-E3

僅供參考

型號 SI7872DP-T1-E3
PNEDA編號 SI7872DP-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
制造商 Vishay Siliconix
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庫存 4,518
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI7872DP-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI7872DP-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI7872DP-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列LITTLE FOOT®
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs22mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.4W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SO-8 Dual

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

36mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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