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SI7421DN-T1-E3

SI7421DN-T1-E3 SI7421DN-T1-E3

僅供參考

型號 SI7421DN-T1-E3
PNEDA編號 SI7421DN-T1-E3
描述 MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,726
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 14 - 十二月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI7421DN-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI7421DN-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SI7421DN-T1-E3, SI7421DN-T1-E3數據表 (總頁數: 12, 大小: 528.37 KB)
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SI7421DN-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.4A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs25mOhm @ 9.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs40nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)1.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerPAK® 1212-8
包裝/箱PowerPAK® 1212-8

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

79A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 39.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

73nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3410pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

417W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.2mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11810pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

349W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

93A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.7mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.45V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2160pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

79W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.2mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 40µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3200pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

94W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta)

工作溫度

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