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SI7232DN-T1-GE3

SI7232DN-T1-GE3 SI7232DN-T1-GE3

僅供參考

型號 SI7232DN-T1-GE3
PNEDA編號 SI7232DN-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 59,883
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 13 - 二月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI7232DN-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI7232DN-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI7232DN-T1-GE3, SI7232DN-T1-GE3數據表 (總頁數: 13, 大小: 639.93 KB)
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SI7232DN-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)25A
Rds On(Max)@ Id,Vgs16.4mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs32nC @ 8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1220pF @ 10V
功率-最大23W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® 1212-8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® 1212-8 Dual

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31.6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1678pF @ 15V

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

1.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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15A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

290mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50Ohm @ 20mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15pF @ 5V

功率-最大

300mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

950pF @ 12.5V

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