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SI7224DN-T1-E3

SI7224DN-T1-E3

僅供參考

型號 SI7224DN-T1-E3
PNEDA編號 SI7224DN-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 2,100
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 10 - 五月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI7224DN-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI7224DN-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI7224DN-T1-E3, SI7224DN-T1-E3數據表 (總頁數: 18, 大小: 597.91 KB)
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SI7224DN-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs35mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14.5nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds570pF @ 15V
功率-最大17.8W, 23W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® 1212-8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® 1212-8 Dual

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7.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.5nC @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

3.6V @ 6mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

580nC @ 10V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1066pF @ 10V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA, 150mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

60pF @ 10V

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