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SI5935CDC-T1-E3

SI5935CDC-T1-E3

僅供參考

型號 SI5935CDC-T1-E3
PNEDA編號 SI5935CDC-T1-E3
描述 MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 5,094
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 13 - 七月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI5935CDC-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI5935CDC-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI5935CDC-T1-E3, SI5935CDC-T1-E3數據表 (總頁數: 11, 大小: 244.04 KB)
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SI5935CDC-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds455pF @ 10V
功率-最大3.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝1206-8 ChipFET™

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

39A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 39A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 2.7mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

259nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7000pF @ 25V

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250W

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

135mOhm @ 1.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

260pF @ 15V

功率-最大

1.25W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A, 40A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1010pF @ 15V

功率-最大

5W, 4.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1340pF @ 15V

功率-最大

1.2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 4.5V

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