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SI4972DY-T1-GE3

SI4972DY-T1-GE3

僅供參考

型號 SI4972DY-T1-GE3
PNEDA編號 SI4972DY-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 7,992
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4972DY-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4972DY-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI4972DY-T1-GE3, SI4972DY-T1-GE3數據表 (總頁數: 12, 大小: 142.4 KB)
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SI4972DY-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10.8A, 7.2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs14.5mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs28nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1080pF @ 15V
功率-最大3.1W, 2.5W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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Vishay Siliconix

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc), 45A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 7.8A, 10V, 11mOhm @ 10.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.7nC @ 10V, 33.8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

809pF @ 20V, 1451pF @ 20V

功率-最大

17W, 48W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Rohm Semiconductor

系列

Automotive, AEC-Q101

FET類型

N and P-Channel

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta), 3.5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

51mOhm @ 5A, 10V, 90mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.9nC @ 5V, 5.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

230pF @ 10V, 490pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOP

制造商

NXP USA Inc.

系列

TrenchMOS™

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1478pF @ 10V

功率-最大

2.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A, 3.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1082pF @ 10V

功率-最大

600mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15.3mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1000pF @ 15V

功率-最大

3.6W, 2.8W

工作溫度

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