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SI4953ADY-T1-GE3

SI4953ADY-T1-GE3

僅供參考

型號 SI4953ADY-T1-GE3
PNEDA編號 SI4953ADY-T1-GE3
描述 MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 2,808
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 16 - 六月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4953ADY-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4953ADY-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI4953ADY-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs53mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15.5mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1550pF @ 10V

功率-最大

1.2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A, 2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

330pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

515pF @ 25V

功率-最大

2.4W

工作溫度

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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

305mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 25V

功率-最大

250mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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