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SI4944DY-T1-E3

SI4944DY-T1-E3

僅供參考

型號 SI4944DY-T1-E3
PNEDA編號 SI4944DY-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 6,642
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4944DY-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4944DY-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI4944DY-T1-E3, SI4944DY-T1-E3數據表 (總頁數: 6, 大小: 85.53 KB)
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SI4944DY-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs9.5mOhm @ 12.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs21nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.3W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

133mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

570pF @ 15V

功率-最大

1.67W

工作溫度

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安裝類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1060pF @ 20V

功率-最大

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

540mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

154nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4350pF @ 25V

功率-最大

357W

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

660pF @ 10V

功率-最大

4.8W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3775pF @ 6V

功率-最大

1W

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