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SI4936CDY-T1-E3

SI4936CDY-T1-E3

僅供參考

型號 SI4936CDY-T1-E3
PNEDA編號 SI4936CDY-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SO
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 7,506
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 11 - 七月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4936CDY-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4936CDY-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI4936CDY-T1-E3, SI4936CDY-T1-E3數據表 (總頁數: 9, 大小: 184.74 KB)
PDFSI4936CDY-T1-E3數據表 封面
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SI4936CDY-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs40mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds325pF @ 15V
功率-最大2.3W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

170mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

190pF @ 15V

功率-最大

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1021pF @ 30V

功率-最大

1.81W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

118A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

393pF @ 15V

功率-最大

1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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