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SI4818DY-T1-GE3

SI4818DY-T1-GE3

僅供參考

型號 SI4818DY-T1-GE3
PNEDA編號 SI4818DY-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 2,142
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 15 - 五月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4818DY-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4818DY-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI4818DY-T1-GE3, SI4818DY-T1-GE3數據表 (總頁數: 9, 大小: 133.68 KB)
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SI4818DY-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列LITTLE FOOT®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.3A, 7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs22mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID800mV @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1W, 1.25W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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包裝/箱

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V, 12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A, 2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 15V

功率-最大

700mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

230pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOP

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系列

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

467pF @ 6V

功率-最大

700mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

137mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

420pF @ 20V

功率-最大

1W

工作溫度

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