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SI4670DY-T1-E3

SI4670DY-T1-E3

僅供參考

型號 SI4670DY-T1-E3
PNEDA編號 SI4670DY-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 4,860
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4670DY-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4670DY-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI4670DY-T1-E3, SI4670DY-T1-E3數據表 (總頁數: 14, 大小: 205.82 KB)
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SI4670DY-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs23mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds680pF @ 13V
功率-最大2.8W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

102mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

550pF @ 10V

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2 N-Channel (Dual)

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

305mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 25V

功率-最大

250mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.41nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

31pF @ 15V, 28.5pF @ 15V

功率-最大

300mW

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 25V

功率-最大

34W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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