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SI4567DY-T1-E3

SI4567DY-T1-E3

僅供參考

型號 SI4567DY-T1-E3
PNEDA編號 SI4567DY-T1-E3
描述 MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 4,428
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 25 - 五月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4567DY-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4567DY-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI4567DY-T1-E3, SI4567DY-T1-E3數據表 (總頁數: 12, 大小: 131 KB)
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SI4567DY-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A, 4.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs60mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds355pF @ 20V
功率-最大2.75W, 2.95W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

630mOhm @ 200mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.23nC @ 4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

46pF @ 10V

功率-最大

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1700pF @ 15V

功率-最大

1W

工作溫度

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

44mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

992pF @ 10V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Ta), 36A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

590pF @ 25V

功率-最大

3W (Ta), 24W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 4.5V

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