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SI4563DY-T1-E3

SI4563DY-T1-E3

僅供參考

型號 SI4563DY-T1-E3
PNEDA編號 SI4563DY-T1-E3
描述 MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,438
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 23 - 七月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4563DY-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4563DY-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI4563DY-T1-E3, SI4563DY-T1-E3數據表 (總頁數: 12, 大小: 130.7 KB)
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SI4563DY-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs16mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs85nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2390pF @ 20V
功率-最大3.25W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.3nC @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

215mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

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