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SI4340CDY-T1-E3

SI4340CDY-T1-E3

僅供參考

型號 SI4340CDY-T1-E3
PNEDA編號 SI4340CDY-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 20V 14.1A 14-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,334
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4340CDY-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4340CDY-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI4340CDY-T1-E3, SI4340CDY-T1-E3數據表 (總頁數: 12, 大小: 1,127.24 KB)
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SI4340CDY-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)14.1A, 20A
Rds On(Max)@ Id,Vgs9.4mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs32nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1300pF @ 10V
功率-最大3W, 5.4W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝14-SOIC

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12A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 200mA, 2.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

25pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A, 3.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

210pF @ 15V

功率-最大

2W

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

725pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

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