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SI4228DY-T1-GE3

SI4228DY-T1-GE3

僅供參考

型號 SI4228DY-T1-GE3
PNEDA編號 SI4228DY-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 7,884
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4228DY-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4228DY-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI4228DY-T1-GE3, SI4228DY-T1-GE3數據表 (總頁數: 9, 大小: 211.53 KB)
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SI4228DY-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs18mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds790pF @ 12.5V
功率-最大3.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

720mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

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6000pF @ 25V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.63Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

180pF @ 25V

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

495A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5mOhm @ 200A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1360nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

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