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SI1913EDH-T1-E3

SI1913EDH-T1-E3

僅供參考

型號 SI1913EDH-T1-E3
PNEDA編號 SI1913EDH-T1-E3
描述 MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 5,004
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 1 - 六月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1913EDH-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1913EDH-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI1913EDH-T1-E3, SI1913EDH-T1-E3數據表 (總頁數: 6, 大小: 117.6 KB)
PDFSI1913EDH-T1-E3數據表 封面
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SI1913EDH-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)880mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs490mOhm @ 880mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID450mV @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.8nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大570mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-70-6 (SOT-363)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

750mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

84mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.8nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

360mOhm @ 350mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

100pF @ 16V

功率-最大

350mW

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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