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SI1403BDL-T1-GE3

SI1403BDL-T1-GE3

僅供參考

型號 SI1403BDL-T1-GE3
PNEDA編號 SI1403BDL-T1-GE3
描述 MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6
制造商 Vishay Siliconix
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庫存 92,268
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 15 - 六月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1403BDL-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1403BDL-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SI1403BDL-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.5A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.5nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)625mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-70-6
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

87mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

435pF @ 15V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

1.4W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.44Ohm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1890pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

910pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 55W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

81nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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