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SI1065X-T1-E3

SI1065X-T1-E3

僅供參考

型號 SI1065X-T1-E3
PNEDA編號 SI1065X-T1-E3
描述 MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F
制造商 Vishay Siliconix
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庫存 5,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 17 - 七月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1065X-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1065X-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SI1065X-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs156mOhm @ 1.18A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID950mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10.8nC @ 5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds480pF @ 6V
FET功能-
功耗(最大值)236mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-89-6
包裝/箱SOT-563, SOT-666

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 500mA, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

160nC @ 20V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

400W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 25V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

117mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1450pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.69mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.4nC @ 10V

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