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SI1016X-T1-E3

SI1016X-T1-E3

僅供參考

型號 SI1016X-T1-E3
PNEDA編號 SI1016X-T1-E3
描述 MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 7,848
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1016X-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1016X-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI1016X-T1-E3, SI1016X-T1-E3數據表 (總頁數: 10, 大小: 155.69 KB)
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SI1016X-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)485mA, 370mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs700mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.75nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大250mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SC-89-6

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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1200V (1.2kV)

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 100A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

500nC @ 20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10200pF @ 800V

功率-最大

900W

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Vishay Siliconix

系列

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FET類型

2 N-Channel (Half Bridge)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.4A, 8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

2.7W, 3.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

780mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

83pF @ 10V

功率-最大

300mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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