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SI1016CX-T1-GE3

SI1016CX-T1-GE3

僅供參考

型號 SI1016CX-T1-GE3
PNEDA編號 SI1016CX-T1-GE3
描述 MOSFET N/P-CH 20V SC89-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 1,142,076
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 15 - 五月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1016CX-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1016CX-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI1016CX-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs396mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds43pF @ 10V
功率-最大220mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SC-89-6

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5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 6V

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安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

N and P-Channel, Common Drain

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.4A, 960mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.08W

工作溫度

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Surface Mount

包裝/箱

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2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.2A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15.23nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

882.51pF @ 6V

功率-最大

1.15W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

218.7pF @ 25V

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