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SH8J66TB1

SH8J66TB1

僅供參考

型號 SH8J66TB1
PNEDA編號 SH8J66TB1
描述 MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 19,308
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SH8J66TB1資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SH8J66TB1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SH8J66TB1規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs18.5mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs35nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3000pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.2A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1415pF @ 15V

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

458pF @ 15V

功率-最大

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工作溫度

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 40µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

123nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6100pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

230nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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