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SGW5N60RUFDTM

SGW5N60RUFDTM

僅供參考

型號 SGW5N60RUFDTM
PNEDA編號 SGW5N60RUFDTM
描述 IGBT 600V 8A 60W D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,448
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 31 - 六月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SGW5N60RUFDTM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SGW5N60RUFDTM
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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SGW5N60RUFDTM規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電流-集電極脈沖(Icm)15A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.8V @ 15V, 5A
功率-最大60W
開關能量88µJ (on), 107µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用16nC
25°C時的Td(開/關)13ns/34ns
測試條件300V, 5A, 40Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)55ns
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D²PAK

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600V

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14A

電流-集電極脈沖(Icm)

56A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 7A

功率-最大

80W

開關能量

300µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

25nC

25°C時的Td(開/關)

10ns/100ns

測試條件

480V, 7A, 18Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

35ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

14A

電流-集電極脈沖(Icm)

42A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 7.8A

功率-最大

49W

開關能量

240µJ (on), 260µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

23nC

25°C時的Td(開/關)

17ns/160ns

測試條件

480V, 7.8A, 75Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

28ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

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12A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 2A

功率-最大

30W

開關能量

64µJ

輸入類型

Standard

門禁費用

14nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/259ns

測試條件

400V, 2A, 118Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

130ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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