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SGW50N60HSFKSA1

SGW50N60HSFKSA1

僅供參考

型號 SGW50N60HSFKSA1
PNEDA編號 SGW50N60HSFKSA1
描述 IGBT 600V 100A 416W TO247-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,658
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 8 - 五月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SGW50N60HSFKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SGW50N60HSFKSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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SGW50N60HSFKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)100A
電流-集電極脈沖(Icm)150A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.15V @ 15V, 50A
功率-最大416W
開關能量1.96mJ
輸入類型Standard
門禁費用179nC
25°C時的Td(開/關)47ns/310ns
測試條件400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝PG-TO247-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

13A

電流-集電極脈沖(Icm)

25A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 3A

功率-最大

50W

開關能量

46.5µJ (on), 23.5µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

12nC

25°C時的Td(開/關)

6.7ns/46ns

測試條件

390V, 3A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

30ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

DPAK

STGB6NC60HT4

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

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PowerMESH™

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電流-集電極脈沖(Icm)

21A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 3A

功率-最大

56W

開關能量

20µJ (on), 68µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

13.6nC

25°C時的Td(開/關)

12ns/76ns

測試條件

390V, 3A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 30A

功率-最大

300W

開關能量

400µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/130ns

測試條件

400V, 30A, 3.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

25ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 40A

功率-最大

500W

開關能量

2.3mJ (on), 1.1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

220nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/110ns

測試條件

600V, 40A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

112ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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