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SGL60N90DG3TU

SGL60N90DG3TU

僅供參考

型號 SGL60N90DG3TU
PNEDA編號 SGL60N90DG3TU
描述 IGBT 900V 60A 180W TO264
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,508
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SGL60N90DG3TU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SGL60N90DG3TU
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
SGL60N90DG3TU, SGL60N90DG3TU數據表 (總頁數: 7, 大小: 363.93 KB)
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SGL60N90DG3TU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)900V
當前-集電極(Ic)(最大值)60A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 60A
功率-最大180W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用260nC
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)1.5µs
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA
供應商設備包裝TO-264-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

14A

電流-集電極脈沖(Icm)

30A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 7A

功率-最大

75W

開關能量

120µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

25nC

25°C時的Td(開/關)

10ns/65ns

測試條件

480V, 7A, 18Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

35ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

96A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.14V @ 15V, 48A

功率-最大

330W

開關能量

625µJ (on), 1.28mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

140nC

25°C時的Td(開/關)

60ns/145ns

測試條件

400V, 48A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

115ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247AD

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HiPerFAST™

IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

300A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 50A

功率-最大

480W

開關能量

480µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

146nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/95ns

測試條件

400V, 50A, 2Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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160A

電流-集電極脈沖(Icm)

280A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 70A

功率-最大

961W

開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

544nC

25°C時的Td(開/關)

33ns/278ns

測試條件

600V, 70A, 4.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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