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S9S12GN16F1VTJ

S9S12GN16F1VTJ

僅供參考

型號 S9S12GN16F1VTJ
PNEDA編號 S9S12GN16F1VTJ
描述 IC MCU 16BIT 16KB FLASH 20TSSOP
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 2,484
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S9S12GN16F1VTJ資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S9S12GN16F1VTJ
類別半導體嵌入式處理器和控制器微控制器

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S9S12GN16F1VTJ規格

制造商NXP USA Inc.
系列HCS12
核心處理器12V1
核心大小16-Bit
速度25MHz
連接性IrDA, LINbus, SCI, SPI
外圍設備LVD, POR, PWM, WDT
I / O數量14
程序存儲器大小16KB (16K x 8)
程序存儲器類型FLASH
EEPROM大小512 x 8
RAM大小1K x 8
電壓-電源(Vcc / Vdd)3.13V ~ 5.5V
數據轉換器A/D 8x10b
振蕩器類型Internal
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝20-TSSOP

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程序存儲器大小

14KB (8K x 14)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

256 x 8

RAM大小

352 x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 8x10b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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程序存儲器大小

3.5KB (2K x 14)

程序存儲器類型

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EEPROM大小

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RAM大小

128 x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

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數據轉換器

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振蕩器類型

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安裝類型

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程序存儲器大小

8KB (8K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

256 x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

4V ~ 6V

數據轉換器

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振蕩器類型

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外圍設備

POR, WDT

I / O數量

49

程序存儲器大小

128KB (128K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

2K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

4.5V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 8x8/10b

振蕩器類型

External

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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LVD, POR, PWM, WDT

I / O數量

34

程序存儲器大小

128KB (128K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

512 x 8

RAM大小

1K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

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